立秋·启程 | 从“厚”积到“薄”发

        云天收夏色，木叶动秋声。今日立秋，万物从繁茂走向成熟。对于半导体行业而言，这也是一个关于“收获”与“蜕变”的季节——芯片从厚重的衬底走向轻薄高效，每一步减薄，都是一次向性能极限的叩问。

        在这个象征着成熟与收获的节气里，良时正盛|特丽亮自主研发的BG减薄膜，为晶圆背面减薄工艺带来可靠的材料解决方案。

为什么晶圆需要“减薄”？

        晶圆减薄（BG Back Grinding），是将晶圆背面研磨至目标厚度的关键工艺，是连接芯片制造与封装之间的桥梁。晶圆电路制造完成后，其厚度通常较厚。必须通过减薄工艺将其减薄至目标厚度，才能满足封装小型化、轻薄化的要求，提升芯片散热效率和电气性能。

        而在这场“瘦身”之旅中，BG减薄膜扮演着至关重要的角色——它贴敷于晶圆，在研磨过程中保护精密的电路结构免受机械损伤、研磨液渗入和碎屑污染。

技术难点：越薄，越难

减薄看似简单，实则挑战重重

·应力与碎片风险

        晶圆越薄，机械强度越低，研磨产生的应力极易导致翘曲甚至碎片。

·保护与固定的平衡

        既要提供足够粘附力将晶圆牢固固定在研磨台上，又要在加工完成后轻松去除、不留残胶。

·超薄化与强度矛盾

        当晶圆厚度低至50μm甚至更薄时，任何微小的缺陷都可能导致整片晶圆报废。

        针对上述行业痛点，良时正盛|特丽亮研发团队深耕高分子膜材技术，成功推出自主研发的BG减薄膜，具备以下核心优势

强力保 护

        有效保护晶圆正面电路与Bump结构，在粗磨、精磨全流程中抵御机械损伤与污染。

精 准 固 定

        确保晶圆在研磨过程中稳固不移，保障加工精度。

洁 净 剥 离

        研磨完成后可轻松去除，不留残胶，不影响后续工艺。

适配超薄化趋势

        针对超薄晶圆加工场景优化设计，助力芯片向更轻薄、更高性能演进。

        立秋，是“收”的开始，也是“发”的起点。

        在半导体材料多年的“厚积”，良时正盛|特丽亮终于迎来核心技术突破的“薄发”。从芯片的“厚重”到“轻薄”，从制造的“粗放”到“精密”——良时正盛|特丽亮自主研发的BG减薄膜，愿与每一位半导体同仁携手，以材料创新赋能中国“芯”未来。